半导体探测器

    半导体探测器 : 二十世纪六十年代发展起来的一 种核辐射探测器。具有能量分辨本领好、 分辨时间短等特点。常用的有两种类型: (1)金硅面垒型。它是在一块n型硅单晶 片上喷涂一层金膜,在金硅交界面附近形 成一个高阻区;(2)锗(或硅)锂漂移型。它 是将适量的锂均匀地漂移进一块p型锗 (或硅)单晶,形成一个相当厚的高阻区。工 作时,探测器接上反向电压,当射线进入高 阻区时,损耗能量产生电子-空穴对,在电 场作用下,电子空穴被收集,外电路形成的 电信号可由电子仪器记录。金硅面垒型探 测器适用于测量带电粒子的能量和活度。 锗锂漂移探测器测量γ射线的能量分辨率 特别好,对γ射线的探测效率也较高,广泛 应用于γ能谱分析、中子活化分析等中,但 必须在液氮温度(77K)下保存和工作。近 年来发展起来的高纯锗探测器,其性能优 于锗锂漂移探测器,虽然也需要在液氮温 度下工作,但可在常温下保存。硅锂漂移 探测器对X射线的分辨率很高,可用于质 子或同位素源X荧光分析的X能谱测量 中。